Samsung LSI kini mengeluarkan Snapdragon 820 Qualcomm pada nod 14nm LPP FinFET gen kedua, dan nampaknya syarikat Korea Selatan telah menjaringkan kontrak untuk tahun depan 10nm Snapdragon 830. Itu menurut berita ET Korea, yang menyatakan bahawa SoC akan digunakan di Galaxy S8. Samsung mungkin akan mengekalkan strategi yang sama diikuti dengan kelebihan Galaxy S7 dan S7, di mana model AS dikuasakan oleh Snapdragon 830, manakala versi global berjalan Exynos 8895 yang akan datang.
Seperti Snapdragon 830, Exynos 8895 di dalam rumah Samsung juga berdasarkan proses pembuatan 10nm. ET News juga menulis bahawa Qualcomm dan Samsung bekerja dalam membangunkan teknologi Pakej FoPLP (Fan-out Panel Level) yang menghilangkan keperluan untuk papan litar bercetak untuk substrat pakej yang akan digunakan dalam Snapdragon 830 dan Exynos 8895.
Kami tidak tahu banyak tentang sama ada SoC, tetapi ia kelihatan seperti Samsung mencari untuk memukul frekuensi jauh lebih tinggi dengan bergerak ke 10nm. Kebocoran Exynos 8895 dari Ogos mencadangkan Samsung memukul 4GHz pada inti Mongoose tersuai, dan mencapai 2.7GHz pada teras Cortex A53. Ia akan menjadi menarik untuk melihat jenis prestasi prestasi Qualcomm dicapai dengan pelaksanaan CPU Kryonya.
