Berikutan perkembangan logik sepanjang pembangunan penyimpanan flash, Samsung baru-baru ini mengumumkan bahawa ia akan memulakan pengeluaran massa 3D "NAND tegak" (V-NAND) cip flash. Walaupun kita tahu Samsung sebagai syarikat elektronik pengguna besar-besaran, pengeluar Korea juga mempunyai perniagaan yang menguntungkan yang membuat komponen dalaman - seperti pemproses, storan flash dan paparan - untuk pengeluar peranti yang berbeza.
Kami telah bercakap sebelum ini tentang pergerakan oleh Samsung (dan pengilang lain) kepada teknologi yang lebih kecil untuk memuatkan penyimpanan yang lebih padat di kawasan fizikal yang sama dengan bergerak ke proses pembuatan kelas 10nm, tetapi sebagai nama akan membawa anda untuk mengharapkan sistem NAND 3D yang baru ini berjalan lebih jauh. Daripada melekat pada struktur "datar" tradisional (datar), Samsung kini membina cip yang menumpuk komponen secara menegak - sehingga 24 lapisan sel tinggi.
Sama seperti bergerak ke arsitektur yang lebih kecil, bergerak ke V-NAND mempunyai kelebihan dalam kedua-dua kebolehpercayaan dan kelajuan untuk cip yang dihasilkan. Samsung mengatakan bahawa cip V-NAND pertama ini adalah 2 hingga 10 kali lebih dipercayai dan mempunyai 2 kali prestasi menulis berbanding dengan memori flash kelas 10nm yang sedia ada.
Dengan pengeluaran besar-besaran mulai sekarang, Samsung mengharapkan kerepek baru untuk menghasilkan elektronik pengguna dari SSD komputer kelas pengguna ke storan flash tertanam dalam masa terdekat.
Sumber: Samsung (BusinessWire)
